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▶ 出版信息

《GaN量子阱光电探测器中单电子态的数值计算》由哈斯花、朱俊著， 由吉林大学出版社出版，ISBN 978-7-5768-0915-2，中国版本图书馆CIP数据核字(2022)第196044号。

▶ 作者简介

哈斯花，女，蒙古族，群众，2008年毕业于内蒙古大学，获得理学博士学位。2008年至今就职于内蒙古工业大学理学院，副教授，硕士研究生导师，曾任物理系副系主任一职，2020年入选内蒙古自治区“新世纪321人才工程”。主要讲授大学物理和量子力学等本科生课程以及半导体异质结物理、高等量子力学等硕士研究生课程，主持和参与国家级及自治区级教学研究项目3项，参编《大学物理学习指导书》（高等教育出版社，2015）一书，在中国民族教育、内蒙古教育和教育现代化等期刊发表教学研究论文4篇。主要从事III族氮化物和氧化物异质结低维结构（包括量子阱和核壳纳米线）中电子态、杂质态、激子态、电子子带跃迁以及电声子相互作用等方面的理论研究。近年来主持1项国家自然科学基金项目，1项教育部“春晖计划”项目以及2项内蒙古自治区自然科学基金项目，参与2项国家自然科学基金项目。迄今为止，在Journal of Applied Physics、Journal of Physics: Condensed Matter、Physica Status Solidi B、European Physical Journal B、Superlattices and Microstructures、Physica E、中国物理B和半导体学报等国内外学术期刊发表学术论文近30篇。2012年指导硕士研究生获内蒙古自治区优秀硕士学位论文奖，2013年高等教育自治区级教学成果二等奖，2018年指导本科生获第二届东北地区大学生光电设计竞赛一等奖。

朱俊，男，汉族，群众，2012年毕业于内蒙古大学，获得理学博士学位。2012年至今就职于内蒙古大学，副教授，硕士研究生导师。先后主讲《光电检测技术》、《集成电路原理与设计》、《传感器与检测技术》、《程序设计基础》和《光纤通信网》等本科生和研究生课程，编有《传感器与检测技术》一书，发表教学研究论文5篇。主要从事半导体功能材料与传感器件以及电子态预测的实验和理论研究工作，曾赴中科院半导体研究所和日本国立产业技术综合研究所访学，目前主持结题国家自然科学基金1项，内蒙古自治区自然科学基金1项，参与国家及省部级各类科研项目逾10项，发表科研论文30余篇，申请国家发明专利2项。

▶ 内容简介

本书总结作者十余年来一直从事III族氮化物异质结构的理论研究结果，详细介绍在有效质量近似框架下基于GaN量子阱中单电子态的数值计算方法、理论模型和计算数据分析。全书一共分为六章。第一章和第二章重点介绍III族氮化物半导体材料及其量子阱结构的特点和性质。第三章讨论GaN量子阱中的电子态及其受到极化电场、二维电子（空穴）气、外电场以及电声子相互作用的具体影响。第四章介绍GaN单量子阱和双量子阱中的类氢杂质态。第五章详细介绍GaN量子阱中的激子态及电声子相互作用等问题。第六章通过量子阱结构的设计和优化，分别介绍非对称单量子阱、外电场调制下的单量子阱、耦合双量子阱和插入纳米凹槽的台阶量子阱研究电子的子带间跃迁的光学吸收问题和动力学性质。